宽禁带第三代半导体碳化硅功率器件
碳化硅（SiC）功率器件与传统硅功率器件相比,拥有更低的导通电阻特性以及出色的耐温工作环境、更高的频率要求和更高压的性能，已经成为下一代低损耗半导体的最佳选择。
SiC元器件的低导通电阻特性及高耐温工作环境，有助于显著提高电气产品性能及降低设备能耗，从而有助于设计出能够减少碳排放量的环保型产品。
广大碳基半导体生产的SiC SBD最高负载可达15000V，最低650V，SiC MOS最高负载电压可达1700V，最小内阻可达16mΩ可以对标国际品牌同行的先进品质及水平，通过工业级、车规级可靠性测