碳化硅 (SiC) 功率器件

肖特基二极管(SBD)具有较小的总电容电荷(Qc)，可降低开关损耗，同时实现高速开关操作。因此，它们广泛用于电源的PFC电路。此外，与trr随温度升高的硅基快速恢复二极管不同，碳化硅器件保持恒定特性，从而获得更好的性能。这些产品提供更大的浪涌电流能力，同时进一步提高了更小的正向电压。碳化硅肖特基二极管为电源转换系统提供更高的可靠性，使其成为电池充电器、可再生能源太阳能电池板和电动汽车充电站的理想选择。

碳化硅MOS管以其高压、高频、高温、高速的优良特性，能够大幅提升各类电力电子设备的能量密度，降低成本造价，增强可靠性和适用性，提高电能转换效率，降低损耗。 SiC具有优异的材料属性，导通电阻阻值增加量极小，能提供比Si器件更小的封装及更节能的效果，不会像Si器件的导通电阻随着温度的升高而上升2倍以上，因此其可在更高温的环境中高效工作。

SiC MOSFET具有近乎瞬时开关的高频开关能力，能够打造适用于使用高压类的开关设 备，使技术人员能够得到更高质量的测试结果。在智能制造业领域，通过提供陡升时间而提升了生产力，从而提高了脉冲发生器的效率。为新能源充电桩、DC-DC转换器和服务器电源、光伏逆变器、变速电机驱动器等提供业界优秀的系统效率和性能。

与传统的 IGBT 模块相比，将 SiC MOSFET 和 SBD 集成到全 SiC 功率模块中，可显着降低开关损耗。这提高了工业设备的效率，GDsicsemi功率模块大功率脉冲等离子体发生器提供高达 200kHz 的反应场，以更好地满足客户要求。

通过与碳化硅MOSFET的结合，我们研发出一种新型的碳化硅型光耦继电器，在第三代半导体的特殊特性下，碳化硅光耦继电器拥有更高的负载电压（最高3300V)及高负载电压下的极低漏电流（低于10nA)，在新一代新能源储能设备上得到广泛的应用及可靠的验证。